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MKS壓力真空計(jì)薄膜規(guī)product center
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mks真空計(jì) 631C壓力計(jì)
mks真空計(jì) 631C壓力計(jì)
631C 1-1000 Torr，加熱（150 或 200°C）Baratron® 電容壓力計(jì)在非常高的內(nèi)部溫度下運(yùn)行，通過幾乎消除污染引起的輸出漂移，減少了傳感器內(nèi)過程副產(chǎn)物的沉積。其可用工作溫度為 150°C 或 200°C，可用于半導(dǎo)體制造中苛刻的真空工藝，例如金屬蝕刻和氮化物薄膜化學(xué)氣相沉積 （CVD）。

150°C 或 200°C 工作溫度可減少污染
0 至 10 VDC 模擬輸出，與壓力成正比
兩個(gè)可選的壓力跳閘繼電器，用于控制外部設(shè)備
鉻鎳鐵合金®傳感器耐腐蝕
性能不受壓力爆發(fā)的影響
緊湊的設(shè)計(jì)和獨(dú)立的電子元件節(jié)省空間

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